高效蓝光LEDs的研发辛酸路程

日期: 2019-03-14
浏览次数: 21

20世纪70年代发展的金属-有机物气相外延(MOVPE)等技术对于高效蓝光LEDs的发展具有里程碑意义。1974年,日本科学家Isamu Akasaki开始采用这种方法生长GaN晶体,并与Hiroshi Aman合作于1986年通过MOVPE方法首次合成了高质量的器件级GaN。

另一个主要挑战是p-型掺杂GaN的可控合成。实际上,MOVPE过程中,Mg和Zn原子可进入这种材料的晶体结构中,但往往与氢结合,从而形成无效的p-型掺杂。Amano、Akasaki及其合作者观察到Zn掺杂的GaN在扫描电子显微镜观察过后会发射更多的光。同样的方式,他们证明了电子束辐射对Mg原子的掺杂性能起到有益的作用。随后,Shuji Nakamura提出在热退火之后增加一个简单的后沉积步骤,分解Mg和Zn的复杂体,该方法可轻易实现GaN及其三元合金(InGaN、AlGaN)的p-型掺杂。

应该指出的是,这些三元体系的能带可通过Al和In的成分进行调节,使得蓝光LEDs的设计增加了一个自由度,对于提高其效率具有重要的意义。事实上,目前这些器件的活性层通常由一系列交替的窄带隙InGaN和GaN层以及宽带系的p-型掺杂AlGaN薄膜(作为载流子的p-端约束)组成。1994年,Nakamura及其合作者基于n-型和p-型掺杂AlGaN之间Zn掺杂InGaN活性层的对称双异质结构设计,首次展示了具有2.7%外量子效率(EQE)的InGaN蓝光LED(框1列举出了LEDs主要的性能指标定义)。该LED结构示意图示于图1a。这些结果对于如今应用的LED基照明技术而言是很关键的,也因此引发了照明行业的革命。2014年底,诺贝尔物理学奖授予Akasaki、Amano和Nakamura,表彰他们“发明用于照明以及白光源节能的高效蓝光LED”


©2019-2022 深圳市鑫南丰光电有限公司
地址:深圳·宝安区宝安区石岩街道华丰圳宝工业园3栋4楼
Tel:0755-23206489